SPI20N60CFDHKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 600V 20.7A

N-Channel 650V 20.7A Tc 208W Tc Through Hole PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

SPI20N60CFDHKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7A

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPI20N60CFDHKSA1引脚图与封装图

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替代型号SPI20N60CFDHKSA1

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