STW11NK100Z、STW12NK90Z、IXTH5N100A对比区别

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型号 STW11NK100Z STW12NK90Z IXTH5N100A

描述 STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VTO-247AD N-CH 1000V 5A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.00 kV 900 V 1.00 kV

额定电流 8.30 A 11.0 A 5.00 A

额定功率 230 W 230 W 180 W

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 1.38 Ω 0.72 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 230 W 230 W 180 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 1000 V 900 V 1000 V

漏源击穿电压 1.00 kV 900 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.30 A 11.0 A 5A

上升时间 18 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 230 W 180 W

下降时间 55 ns 55 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) 180W (Tc)

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99