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STW12NK90Z

STW12NK90Z

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STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics

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N沟道 900V 11A


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MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3


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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装


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STW12NK90Z 系列 N 沟道 900 V 0.88 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - TO-247-3


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# STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V


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STW12NK90Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 11.0 A

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.72 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW12NK90Z引脚图与封装图
STW12NK90Z引脚图

STW12NK90Z引脚图

STW12NK90Z封装图

STW12NK90Z封装图

STW12NK90Z封装焊盘图

STW12NK90Z封装焊盘图

在线购买STW12NK90Z
型号 制造商 描述 购买
STW12NK90Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STW12NK90Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW12NK90Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STW7NK90Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 2.9A 2Ω

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型号： STP6NK90Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 500V 5.6A 2Ω

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品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 800V 9A 900mΩ

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