锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STW11NK100Z

STW11NK100Z

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK100Z, 8.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 1kV 8.3A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-Channel 1 kV 1.38 Ohm Flange Mount SuperMESH™ MOSFET - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  Power MOSFET, N Channel, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 1kV 11A 1400mOhm TO247-3 **


力源芯城:
1000V,1.1Ohm,8.3A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247


STW11NK100Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 8.30 A

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.38 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1.00 kV

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.30 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW11NK100Z引脚图与封装图
STW11NK100Z引脚图

STW11NK100Z引脚图

STW11NK100Z封装图

STW11NK100Z封装图

STW11NK100Z封装焊盘图

STW11NK100Z封装焊盘图

在线购买STW11NK100Z
型号 制造商 描述 购买
STW11NK100Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STW11NK100Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW11NK100Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 1kV 8.3A 1.38Ω

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STW20NK50Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

类似代替

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW11NK100Z和STW20NK50Z的区别

型号： STP5NK100Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STW11NK100Z和STP5NK100Z的区别

型号： STW12NK90Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

STW11NK100Z和STW12NK90Z的区别