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TL431BIDR、TL431BQD、TL431BIDR2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL431BIDR TL431BQD TL431BIDR2

描述 TL 系列### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。TL 系列### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。可编程精密基准 PROGRAMMABLE PRECISION REFERENCES

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.5 % ±0.5 % ±0.4 %

输入电压(DC) 2.50V ~ 36.0V 2.50V ~ 36.0V -

输出电压 2.495V ~ 36V 2.495V ~ 36V -

输出电流 100 mA 100 mA 100 mA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 37 V 37 V -

输出电压(Max) 36 V 36 V 36 V

输出电压(Min) 2.495 V 2.495 V 2.495 V

输出电流(Max) 100 mA 100 mA -

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

精度 ±0.5 % ±0.5 % -

输入电压 37 V 37 V -

针脚数 8 - -

额定电压 2.5V ~ 36V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

温度系数 ±34 ppm/℃ ±92 ppm/℃ ±50 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99