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P2N2907AG、PN2907ABU、BC556B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P2N2907AG PN2907ABU BC556B

描述 TO-92 PNP 60V 0.6AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2907ABU  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFETransistor: PNP; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92

耗散功率 0.625 W 625 mW 500 mW

增益频宽积 200 MHz - 150 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

频率 200 MHz 200 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -600 mA -800 mA -

击穿电压 -60.0 V - -

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 0.6A 0.8A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

针脚数 - 3 -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

直流电流增益(hFE) - 50 -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99