P2N2907AG中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
击穿电压 -60.0 V
极性 Dual P-Channel
耗散功率 0.625 W
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
P2N2907AG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号P2N2907AG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P2N2907AG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 Dual P-Channel -60V -600mA 0.625W | 当前型号 | TO-92 PNP 60V 0.6A | 当前型号 |
| 型号： BC33725BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33725BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | P2N2907AG和BC33725BU的区别 |
| 型号： BC33716BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33716BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | P2N2907AG和BC33716BU的区别 |
| 型号： PN2907ABU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -60V -800mA 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PN2907ABU 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFE | P2N2907AG和PN2907ABU的区别 |