BUV11、MJE13005G、MJE13004对比区别

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型号 BUV11 MJE13005G MJE13004

描述 SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS2W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 4A Ic, 10 - 60 hFE.

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Continental Device

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-3 TO-220-3 -

频率 - 4 MHz -

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 4.00 A -

极性 - NPN -

耗散功率 - 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V -

热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 4A -

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @2A, 5V -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 75000 mW -

封装 TO-3 TO-220-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -