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BUV11

ON Semiconductor 安森美 电子元器件分类

SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistor

. . . designed for high current, high speed, high power applications.

• High DC current gain; hFE

   min. = 20 at IC = 6 A

• Low VCEsat, VCEsat

   max. = 0.6 V at IC = 6 A

• Very fast switching times:

   TF max. = 0.8 µs at IC = 12 A


BUV11中文资料参数规格
封装参数

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BUV11引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BUV11 ON Semiconductor 安森美 SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 搜索库存
替代型号BUV11
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型号: BUV11

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装:

当前型号

SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

当前型号

型号: MJE13005G

品牌: 安森美

封装: TO-220AB NPN 400V 4A 2W

功能相似

4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS

BUV11和MJE13005G的区别

型号: BU406D

品牌: NTE Electronics

封装:

功能相似

t-Npn Si- Hiv Sw

BUV11和BU406D的区别

型号: MJE13004

品牌: Continental Device

封装:

功能相似

2W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 4A Ic, 10 - 60 hFE.

BUV11和MJE13004的区别