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MH13、SEMH9对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MH13 SEMH9

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SOT-666, 6 PINNPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

封装 SOT-666 SOT-666

安装方式 - Surface Mount

封装 SOT-666 SOT-666

产品生命周期 Obsolete Obsolete

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

RoHS标准 - RoHS Compliant