SEMH9
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
SEMH9中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-666
外形尺寸
封装 SOT-666
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SEMH9引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SEMH9 | Infineon 英飞凌 | NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor | 搜索库存 |
替代型号SEMH9
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SEMH9 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor | 当前型号 |
| 型号： SEMH13 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor | SEMH9和SEMH13的区别 |
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| 型号： MH13 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 2-Element, NPN, Silicon, SOT-666, 6 PIN | SEMH9和MH13的区别 |
