L6387、L6387E、L6387ED对比区别

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型号 L6387 L6387E L6387ED

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERMOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  L6387ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8

频率 - 0.4 MHz 0.4 MHz

电源电压(DC) 17.0V (max) - 5.50V (min)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 0.75 W 750 mW

上升时间 - 50 ns 50 ns

输出电流(Max) - - 0.65 A

下降时间 - 30 ns 30 ns

下降时间(Max) - 30 ns 30 ns

上升时间(Max) - 50 ns 50 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) - 750 mW 750 mW

电源电压(Max) - 17 V 17 V

电源电压(Min) - - 5.5 V

供电电流 220 mA - -

电源电压 17 V 17 V -

长度 - 10.92 mm 4.9 mm

宽度 - 6.6 mm 3.9 mm

高度 - 3.32 mm 1.25 mm

封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99