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L6387E

L6387E

数据手册.pdf

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP


欧时:
### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics


e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT **


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-DIP


L6387E中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 0.75 W

上升时间 50 ns

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

电源电压Max 17 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

长度 10.92 mm

宽度 6.6 mm

高度 3.32 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

L6387E引脚图与封装图
L6387E引脚图

L6387E引脚图

L6387E封装图

L6387E封装图

L6387E电路图

L6387E电路图

L6387E封装焊盘图

L6387E封装焊盘图

在线购买L6387E
型号 制造商 描述 购买
L6387E ST Microelectronics 意法半导体 MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics ### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号L6387E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： L6387E

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： PDIP

当前型号

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

当前型号

型号： L6387

品牌： 意法半导体

封装： Through 17V 8Pin

完全替代

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

L6387E和L6387的区别

型号： L6387ED

品牌： 意法半导体

封装： SO 5.5V 8Pin

功能相似

STMICROELECTRONICS  L6387ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

L6387E和L6387ED的区别

型号： L6387ED013TR

品牌： 意法半导体

封装： SO

功能相似

L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8

L6387E和L6387ED013TR的区别