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L6387

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

半桥 栅极驱动器 IC 反相 8-迷你型 DIP


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin Mini-PDIP Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin Mini-PDIP


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8MINIDIP


L6387中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

供电电流 220 mA

电源电压 17 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

L6387引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
L6387 ST Microelectronics 意法半导体 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER 搜索库存
替代型号L6387
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L6387

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: Through 17V 8Pin

当前型号

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

当前型号

型号: L6387ED013TR

品牌: 意法半导体

封装: SO

完全替代

L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8

L6387和L6387ED013TR的区别

型号: L6387E

品牌: 意法半导体

封装: PDIP

完全替代

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

L6387和L6387E的区别

型号: L6387D

品牌: 意法半导体

封装: Surface 17V 8Pin

完全替代

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

L6387和L6387D的区别