APT8056BVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT8056BVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 16.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 4.44 nF
栅电荷 275 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT8056BVRG引脚图与封装图
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在线购买APT8056BVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT8056BVRG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号APT8056BVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT8056BVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 800V 16A 4.44nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： APT18M80B 品牌： 美高森美 封装： TO-247 N-CH 800V 18A | 类似代替 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | APT8056BVRG和APT18M80B的区别 |
| 型号： APT8056BVR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin3+Tab TO-247 | APT8056BVRG和APT8056BVR的区别 |