IRF2804L、IRF2804LPBF、AUIRF2804L对比区别
型号 IRF2804L IRF2804LPBF AUIRF2804L
描述 TO-262 N-CH 40V 280AN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262 TO-262 TO-262-3
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 75.0 A - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 330 W 330 W 300 W
产品系列 IRF2804L - -
漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40.0V (min) - -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 280A 270A
上升时间 120 ns 120 ns -
输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)
下降时间 130 ns 130 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330000 mW 330 W 300W (Tc)
额定功率 - 330 W 300 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0018 Ω 0.0018 Ω
阈值电压 - 4 V 2 V
封装 TO-262 TO-262 TO-262-3
高度 - 10.54 mm 11.3 mm
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.83 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99