
额定电压DC 40.0 V
额定电流 75.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
产品系列 IRF2804L
漏源极电压Vds 40.0 V
漏源击穿电压 40.0V min
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 6450pF @25VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262
封装 TO-262
材质 Silicon
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF2804L | Infineon 英飞凌 | TO-262 N-CH 40V 280A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF2804L 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-262 N-Channel 40V 75A | 当前型号 | TO-262 N-CH 40V 280A | 当前型号 | |
型号: IRF2804LPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 280A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF2804L和IRF2804LPBF的区别 | |
型号: AUIRF2804L 品牌: 英飞凌 封装: TO-262 N-Channel 40V 270A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF2804L和AUIRF2804L的区别 |