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FGA20S125P、FGA20S125P_SN00336对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGA20S125P FGA20S125P_SN00336

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN RailTrans IGBT Chip N-CH 1.25kV 40A 3Pin TO-3PN Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-3-3 TO-3-3

耗散功率 250000 mW 250000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1250 V 1250 V

额定功率(Max) 250 W 250 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW

高度 18.9 mm 18.9 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free