FGA20S125P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGA20S125P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 1250 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FGA20S125P引脚图与封装图
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在线购买FGA20S125P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA20S125P | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail | 搜索库存 |
替代型号FGA20S125P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FGA20S125P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN 250000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail | 当前型号 |
| 型号： FGA20S125P_SN00336 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 250000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 1.25kV 40A 3Pin TO-3PN Rail | FGA20S125P和FGA20S125P_SN00336的区别 |
| 型号： FGA20S125P-SN00336 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 1250V, 20A, Shorted-anode IGBT, 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED, 450/RAIL | FGA20S125P和FGA20S125P-SN00336的区别 |
| 型号： PS-N 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 1250V, 20A, Shorted-anode IGBT, 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED, 450/RAIL | FGA20S125P和PS-N的区别 |