FGA20S125P_SN00336
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGA20S125P_SN00336中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 1250 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FGA20S125P_SN00336引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FGA20S125P_SN00336
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA20S125P_SN00336 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 1.25kV 40A 3Pin TO-3PN Rail | 搜索库存 |
替代型号FGA20S125P_SN00336
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FGA20S125P_SN00336 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 250000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1.25kV 40A 3Pin TO-3PN Rail | 当前型号 |
| 型号： FGA20S125P 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3PN 250000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail | FGA20S125P_SN00336和FGA20S125P的区别 |