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MMBT6427LT3G、SMMBT6427LT1G、MMBT6427LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6427LT3G SMMBT6427LT1G MMBT6427LT1G

描述 SOT-23 NPN 40V 0.5ANPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT6427LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 0.3 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V 20000 20000 @100mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 200000 100000

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 500 mA - 600 mA

输出电压 - - 40 V

输出电流 - - 500 mA

针脚数 - - 3

输入电容 - - 15 pF

热阻 - - 556℃/W (RθJA)

直流电流增益(hFE) - - 200

输入电压 - - 12 V

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1.01 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)