SMMBT6427LT1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000
最大电流放大倍数hFE 200000
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMMBT6427LT1G引脚图与封装图
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在线购买SMMBT6427LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMMBT6427LT1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号SMMBT6427LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMMBT6427LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 300mW | 当前型号 | NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBT6427LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6427LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE | SMMBT6427LT1G和MMBT6427LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6427LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 500mA 300mW | 类似代替 | SOT-23 NPN 40V 0.5A | SMMBT6427LT1G和MMBT6427LT3G的区别 |