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BC848AE6327HTSA1、BC848AMTF、BC849AMTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848AE6327HTSA1 BC848AMTF BC849AMTF

描述 Infineon BC848AE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.33 W 0.31 W 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 330 mW 310 mW 310 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 310 mW 310 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

高度 0.9 mm 0.93 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99