频率 250 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.33 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC848AE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BC848AE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC848AE6327HTSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 0.33W | 当前型号 | Infineon BC848AE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | 当前型号 | |
型号: BC848A-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 NPN 350mW | 功能相似 | BC848A 系列 30 V 100 mA NPN 表面贴装 小信号 晶体管 - SOT23 | BC848AE6327HTSA1和BC848A-7-F的区别 | |
型号: BC848AMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 310mW | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | BC848AE6327HTSA1和BC848AMTF的区别 | |
型号: BC849AMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 0.31W | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | BC848AE6327HTSA1和BC849AMTF的区别 |