BC849AMTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC849AMTF中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC849AMTF引脚图与封装图
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在线购买BC849AMTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC849AMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号BC849AMTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC849AMTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 0.31W | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
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| 型号： BC849CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC849CLT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFE | BC849AMTF和BC849CLT1G的区别 |
| 型号： BC849BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC849BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE | BC849AMTF和BC849BLT1G的区别 |