AO3413、FDN338P、FDN340P对比区别

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型号 AO3413 FDN338P FDN340P

描述 P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN338P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN340P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 0.9 W - -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.4 W 500 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3A 1.60 A 2.00 A

上升时间 36 ns 11 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 540pF @10V(Vds) 451pF @10V(Vds) 779pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 460 mW 460 mW

下降时间 56 ns 6.5 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 500mW (Ta) 500 mW

额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V

额定电流 - -1.60 A -2.00 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.088 Ω 0.06 Ω

输入电容 - - 779 pF

栅电荷 - - 7.20 nC

漏源击穿电压 - -20.0 V -20.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±8.00 V

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.92 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99