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AO3413

AO3413

数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.081Ω @-3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -20V ID = -3 A RDSON < 97mΩ VGS = -4.5V RDSON < 130mΩ VGS = -2.5V RDSON < 190mΩ VGS = -1.8V 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-2.6 A（VGS=-10V） RDS（ON） <130mΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <200MΩ（VGS=-4.5V）


立创商城:
P沟道 20V 3A


得捷:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 900mW; SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23


AO3413中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.9 W

极性 P-CH

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 540pF @10VVds

额定功率Max 1.4 W

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AO3413引脚图与封装图
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在线购买AO3413
型号 制造商 描述 购买
AO3413 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V 搜索库存
替代型号AO3413
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： AO3413

品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

封装： SOT-23/SC-59 P-CH 20V 3A

当前型号

P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V

当前型号

型号： FDN338P

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-236-3 P-Channel -20V 1.6A 115mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN338P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV

AO3413和FDN338P的区别

型号： FDN340P

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOT-23 P-Channel -20V 2A 60ohms 779pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN340P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV

AO3413和FDN340P的区别

型号： FDN342P

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOT-23/SC-59 P-Channel -20V 2A 62mohms 635pF

功能相似

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

AO3413和FDN342P的区别