STGB35N35LZ-1、STGP35N35LZ、STGB35N35LZT4对比区别
型号 STGB35N35LZ-1 STGP35N35LZ STGB35N35LZT4
描述 IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBTIGBT 晶体管 EAS 450mJ 345V PowerMESH IGBTTrans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-263-3
耗散功率 176000 mW 176 W 176000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 345 V 345 V 345 V
额定功率(Max) 176 W 176 W 176 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 176 W 176 W 176000 mW
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99