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STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1

数据手册.pdf

IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT

IGBT - 345 V 40 A 176 W 通孔 I2PAK(TO-262)


得捷:
IGBT 345V 40A 176W I2PAK


贸泽:
IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT


艾睿:
Minimize the current at your gate with the STGB35N35LZ-1 IGBT transistor from STMicroelectronics. It has a maximum collector emitter voltage of 380 V. Its maximum power dissipation is 176000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


DeviceMart:
IGBT CLAMPED 40A 176W I2PAK


Win Source:
IGBT 345V 40A 176W I2PAK


STGB35N35LZ-1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 176000 mW

击穿电压集电极-发射极 345 V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGB35N35LZ-1引脚图与封装图
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在线购买STGB35N35LZ-1
型号 制造商 描述 购买
STGB35N35LZ-1 ST Microelectronics 意法半导体 IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT 搜索库存
替代型号STGB35N35LZ-1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STGB35N35LZ-1

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: I2PAK 176000mW

当前型号

IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT

当前型号

型号: STGB35N35LZT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK 176000mW

功能相似

Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R

STGB35N35LZ-1和STGB35N35LZT4的区别

型号: STGP35N35LZ

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 176000mW

功能相似

IGBT 晶体管 EAS 450mJ 345V PowerMESH IGBT

STGB35N35LZ-1和STGP35N35LZ的区别