耗散功率 176000 mW
击穿电压集电极-发射极 345 V
额定功率Max 176 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 176000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGB35N35LZT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STGB35N35LZT4 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: D2PAK 176000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
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