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MMBT3904LT1、MMBT3906LT1G、MMBT3904LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904LT1 MMBT3906LT1G MMBT3904LT3G

描述 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor (NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 250 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V -40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA -200 mA 200 mA

额定功率 - 300 mW 300 mW

针脚数 - 3 3

极性 - PNP NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 40 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 300 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR NLR -