MMBF170LT1G、PMBF170,215、MMBF170LT3G对比区别

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型号 MMBF170LT1G PMBF170,215 MMBF170LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 VNXP  PMBF170,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

额定功率 0.225 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 5 Ω 2.8 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 830 mW 225 mW

阈值电压 3 V 2 V -

输入电容 60 pF - 60.0 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 300 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 830 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 830mW (Tc) 225mW (Ta)

通道数 - - 1

长度 3.04 mm 3 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -