MMBF170LT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
通道数 1
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBF170LT3G引脚图与封装图
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在线购买MMBF170LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF170LT3G | ON Semiconductor 安森美 | 0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MMBF170LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBF170LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 60pF | 当前型号 | 0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： MMBF170LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5Ω | 完全替代 | 0.5A,60V,N沟道功率MOSFET | MMBF170LT3G和MMBF170LT1的区别 |
| 型号： MMBF170LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 60pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBF170LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | MMBF170LT3G和MMBF170LT1G的区别 |
| 型号： MMBF170LT3 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5Ω 60pF | 类似代替 | 功率MOSFET 500毫安， 60 V的N沟道SOT- 23 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 | MMBF170LT3G和MMBF170LT3的区别 |