IXTH5N100A、STW11NK100Z、APT7F100B对比区别

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型号 IXTH5N100A STW11NK100Z APT7F100B

描述 TO-247AD N-CH 1000V 5ASTMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 5.00 A 8.30 A 7.30 A

额定功率 180 W 230 W -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 180 W 230 W 290 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 5A 8.30 A 7.30 A

上升时间 20 ns 18 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 180 W 230 W 290 W

下降时间 30 ns 55 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 180W (Tc) 230W (Tc) 290W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.38 Ω 1.76 Ω

阈值电压 - 3.75 V 2.5 V

漏源击穿电压 - 1.00 kV 1000 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

通道数 - - 1

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -