APT7F100B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT7F100B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 7.30 A
通道数 1
漏源极电阻 1.76 Ω
极性 N-CH
耗散功率 290 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 290W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT7F100B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APT7F100B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT7F100B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 1kV 7.3A | 当前型号 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 当前型号 |
| 型号： IRFPG50PBF 品牌： 威世 封装： TO-247AC N-Channel 1kV 6.1A 2Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | APT7F100B和IRFPG50PBF的区别 |
| 型号： IXFH6N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 1kV 6A 2Ω | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH6N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V | APT7F100B和IXFH6N100的区别 |
| 型号： IXTH5N100A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 5A | 功能相似 | TO-247AD N-CH 1000V 5A | APT7F100B和IXTH5N100A的区别 |