FDA16N50、STD6N95K5、STW20NK50Z对比区别

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型号 FDA16N50 STD6N95K5 STW20NK50Z

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 380 mΩ 1 Ω 0.23 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 205W (Tc) 90 W 190 W

阈值电压 - 4 V 3.75 V

输入电容 1.94 nF 450 pF 2600 pF

漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 16.5 A 9A 17.0 A

上升时间 150 ns 12 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1945pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 205 W 90 W 190 W

下降时间 - 21 ns 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 205W (Tc) 90W (Tc) 190W (Tc)

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 16.5 A - 17.0 A

栅电荷 45.0 nC - -

漏源击穿电压 500 V - 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

额定功率 - - 190 W

通道数 - - 1

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 20.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99