FDA16N50
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDA16N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 16.5 A
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 205W Tc
输入电容 1.94 nF
栅电荷 45.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 16.5 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1945pF @25VVds
额定功率Max 205 W
耗散功率Max 205W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDA16N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDA16N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDA16N50 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3 N-Channel 500V 16.5A 380mohms 1.94nF | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDA16N50和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： STD6N95K5 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | FDA16N50和STD6N95K5的区别 |