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TPS76815QD、TPS76815QDR、TPS76815QDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS76815QD TPS76815QDR TPS76815QDRG4

描述 快速瞬态响应1 -A低压差稳压器 FAST-TRANSIENT-RESPONSE 1-A LOW-DROPOUT VOLTAGE REGULATORS快速瞬态响应, 1 -A低压差稳压器 FAST TRANSIENT RESPONSE, 1-A LOW-DROPOUT VOLTAGE REGULATORS快速瞬态响应1 -A低压差稳压器 FAST-TRANSIENT-RESPONSE 1-A LOW-DROPOUT VOLTAGE REGULATORS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出接口数 1 1 1

输出电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V

输出电流 1 A 1 A 1 A

耗散功率 0.90415 W 0.90415 W 904.15 W

静态电流 80.0 µA 80.0 µA 0.085 mA

输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic

跌落电压 230 mV 230 mV 230 mV

调节输出数 1 1 1

输入电压(Max) 10 V 10 V 10 V

输入电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

输出电流(Max) 1 A 1 A 1 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 904.15 mW 904.15 mW 904.15 mW

精度 ±2 % ±2 % ±2 %

输入电压 2.7V ~ 10V 2.7V ~ 10V 10 V

输入电压(DC) 10.0V (max) - -

供电电流 125 µA - -

输出电压(Min) 1.5 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free