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TIP29B、TIP29CG、TIP29BG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP29B TIP29CG TIP29BG

描述 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONON SEMICONDUCTOR  TIP29CG.  射频双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  TIP29BG  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 100 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2 W 30 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 15 @1A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 75 75

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 30 W 2000 mW

热阻 - 4.167℃/W (RθJC) -

最大电流放大倍数(hFE) 75 - -

长度 10.28 mm 10.28 mm 10.53 mm

宽度 4.82 mm 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99