TIP29B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 4V
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
TIP29B引脚图与封装图
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在线购买TIP29B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP29B | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 搜索库存 |
替代型号TIP29B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP29B 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN 80V 1A | 当前型号 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 当前型号 |
| 型号： TIP29BG 品牌： 安森美 封装： TO-220AB NPN 80V 1A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP29BG 双极晶体管 | TIP29B和TIP29BG的区别 |
| 型号： TIP32 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 2000mW | 类似代替 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors | TIP29B和TIP32的区别 |
| 型号： TIP29CG 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 100V 1A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP29CG. 射频双极晶体管 | TIP29B和TIP29CG的区别 |