锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ARF466AG、ARF466BG、ARF466FL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ARF466AG ARF466BG ARF466FL

描述 Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 6

封装 TO-264-3 TO-264-3 ~0.27°C/W

安装方式 Through Hole Through Hole -

频率 40.68 MHz 40.68 MHz 40.68 MHz

额定电流 - - 13 A

耗散功率 357000 mW 357000 mW 1153000 mW

上升时间 10 ns 10 ns 10 ns

输出功率 300 W 150 W 150 W

增益 16 dB 16 dB 16 dB

输入电容(Ciss) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 357000 mW 357000 mW 1153000 mW

额定电压 1000 V 1000 V 1000 V

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -

封装 TO-264-3 TO-264-3 ~0.27°C/W

高度 - 26.49 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead