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ARF466FL中文资料参数规格
技术参数

频率 40.68 MHz

额定电流 13 A

耗散功率 1153000 mW

上升时间 10 ns

输出功率 150 W

增益 16 dB

输入电容Ciss 2000pF @150VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1153000 mW

额定电压 1000 V

封装参数

引脚数 6

封装 ~0.27°C/W

外形尺寸

封装 ~0.27°C/W

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

ARF466FL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ARF466FL Microsemi 美高森美 RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 搜索库存
替代型号ARF466FL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ARF466FL

品牌: Microsemi 美高森美

封装: ~0.27deg 1153000mW

当前型号

RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

当前型号

型号: ARF466BG

品牌: 美高森美

封装: TO-264 357000mW

功能相似

Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264

ARF466FL和ARF466BG的区别

型号: ARF466AG

品牌: 美高森美

封装: TO-264 357000mW

功能相似

Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264

ARF466FL和ARF466AG的区别