频率 40.68 MHz
额定电流 13 A
耗散功率 1153000 mW
上升时间 10 ns
输出功率 150 W
增益 16 dB
输入电容Ciss 2000pF @150VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1153000 mW
额定电压 1000 V
引脚数 6
封装 ~0.27°C/W
封装 ~0.27°C/W
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ARF466FL | Microsemi 美高森美 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ARF466FL 品牌: Microsemi 美高森美 封装: ~0.27deg 1153000mW | 当前型号 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | 当前型号 | |
型号: ARF466BG 品牌: 美高森美 封装: TO-264 357000mW | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264 | ARF466FL和ARF466BG的区别 | |
型号: ARF466AG 品牌: 美高森美 封装: TO-264 357000mW | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264 | ARF466FL和ARF466AG的区别 |