ARF466BG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
ARF466BG中文资料参数规格
技术参数
频率 40.68 MHz
耗散功率 357000 mW
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 10 ns
输出功率 150 W
增益 16 dB
输入电容Ciss 2000pF @150VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357000 mW
额定电压 1000 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
高度 26.49 mm
封装 TO-264-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ARF466BG引脚图与封装图
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在线购买ARF466BG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ARF466BG | Microsemi 美高森美 | Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
替代型号ARF466BG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ARF466BG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 357000mW | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264 | 当前型号 |
| 型号： ARF466AG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 357000mW | 类似代替 | Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin3+Tab TO-264 | ARF466BG和ARF466AG的区别 |
| 型号： ARF466FL 品牌： 美高森美 封装： ~0.27deg 1153000mW | 功能相似 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | ARF466BG和ARF466FL的区别 |