STB4NK60Z-1、STD4NK60Z、R6004CNDTL对比区别

高亮显示差异参数

型号 STB4NK60Z-1 STD4NK60Z R6004CNDTL

描述 N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPN沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin(2+Tab) CPT T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-262-3 DPAK TO-252-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4A 4A -

漏源极电阻 - - 1.8 Ω

耗散功率 70 W - 40W (Tc)

漏源击穿电压 - - 600 V

上升时间 9.5 ns - 28 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) - 280pF @25V(Vds)

下降时间 16.5 ns - 39 ns

耗散功率(Max) 70W (Tc) - 40W (Tc)

通道数 1 - -

额定功率(Max) 70 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-262-3 DPAK TO-252-3

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 8.95 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)