FDB8870、STB80NF03L-04T4、PHB66NQ03LT,118对比区别

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型号 FDB8870 STB80NF03L-04T4 PHB66NQ03LT,118

描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETMOSFET N-CH 25V 66A SOT404

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 160 A 80.0 A -

漏源极电阻 0.0039 Ω 4.00 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 160 W 300 W 93 W

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 80.0 A -

上升时间 98 ns 270 ns -

输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 300 W 93 W

下降时间 47 ns 95 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 160W (Tc) 300W (Tc) 93W (Tc)

通道数 - 1 -

输入电容 - 5500 pF -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 - 9.35 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -