FDB8870
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB8870中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 160 A
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 98 ns
输入电容Ciss 5200pF @15VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB8870引脚图与封装图
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在线购买FDB8870
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8870 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDB8870
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB8870 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 30V 35A 3.9mohms | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 当前型号 |
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