DS1220AD-100IND、DS1220AD-100IND+、DS1220AB-100对比区别

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型号 DS1220AD-100IND DS1220AD-100IND+ DS1220AB-100

描述 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 - 24 -

时钟频率 100 GHz 100 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

长度 38.1 mm 38.1 mm -

宽度 18.8 mm 18.29 mm -

高度 10.67 mm 10.67 mm -

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free