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DS1220AD-100IND+

DS1220AD-100IND+

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


欧时:
Maxim DS1220AD-100IND+, 16kbit SRAM 内存芯片, 2K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 24针 EDIP封装


e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8位, 100 ns, EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 100 ns


DS1220AD-100IND+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 24

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.29 mm

高度 10.67 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220AD-100IND+引脚图与封装图
DS1220AD-100IND+引脚图

DS1220AD-100IND+引脚图

DS1220AD-100IND+封装图

DS1220AD-100IND+封装图

DS1220AD-100IND+封装焊盘图

DS1220AD-100IND+封装焊盘图

在线购买DS1220AD-100IND+
型号 制造商 描述 购买
DS1220AD-100IND+ Maxim Integrated 美信 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM 搜索库存
替代型号DS1220AD-100IND+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1220AD-100IND+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

当前型号

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

当前型号

型号: DS1220Y-100IND+

品牌: 美信

封装: DIP

完全替代

IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

DS1220AD-100IND+和DS1220Y-100IND+的区别

型号: DS1220AD-100IND

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

完全替代

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AD-100IND+和DS1220AD-100IND的区别

型号: DS1220AB-100+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

类似代替

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

DS1220AD-100IND+和DS1220AB-100+的区别