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DS1220AD-100IND

DS1220AD-100IND

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 100ns 24-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM


DS1220AD-100IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.67 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220AD-100IND引脚图与封装图
DS1220AD-100IND引脚图

DS1220AD-100IND引脚图

DS1220AD-100IND封装图

DS1220AD-100IND封装图

DS1220AD-100IND封装焊盘图

DS1220AD-100IND封装焊盘图

在线购买DS1220AD-100IND
型号 制造商 描述 购买
DS1220AD-100IND Maxim Integrated 美信 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM 搜索库存
替代型号DS1220AD-100IND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1220AD-100IND

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

当前型号

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

当前型号

型号: DS1220AD-100IND+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

完全替代

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1220AD-100IND和DS1220AD-100IND+的区别

型号: DS1220Y-100IND+

品牌: 美信

封装: DIP

完全替代

IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

DS1220AD-100IND和DS1220Y-100IND+的区别

型号: DS1220AB-100+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

类似代替

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

DS1220AD-100IND和DS1220AB-100+的区别