电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 2000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 DIP-24
长度 38.1 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.67 mm
封装 DIP-24
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1220AD-100IND引脚图
DS1220AD-100IND封装图
DS1220AD-100IND封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1220AD-100IND | Maxim Integrated 美信 | 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1220AD-100IND 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin | 当前型号 | 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM | 当前型号 | |
型号: DS1220AD-100IND+ 品牌: 美信 封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin | 完全替代 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-100IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1220AD-100IND和DS1220AD-100IND+的区别 | |
型号: DS1220Y-100IND+ 品牌: 美信 封装: DIP | 完全替代 | IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP | DS1220AD-100IND和DS1220Y-100IND+的区别 | |
型号: DS1220AB-100+ 品牌: 美信 封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin | 类似代替 | RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 | DS1220AD-100IND和DS1220AB-100+的区别 |