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FDV304P、FDV304P_NB8U003、BSH202,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDV304P FDV304P_NB8U003 BSH202,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mVMOSFET P-CH 25V 460mA SOT-23BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -25.0 V - -

额定电流 -460 mA - -

额定功率 350 mW - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.22 Ω - 0.63 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 350 mW 350mW (Ta) 417 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 30 V

漏源击穿电压 -25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 460 mA 0.46A -520 mA

上升时间 8 ns - 4.5 ns

输入电容(Ciss) 63pF @10V(Vds) 63pF @10V(Vds) 80pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW - 417 mW

下降时间 35 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 417mW (Ta)

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.93 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -